线阵图像传感器
- 产品型号:
- 更新时间:2023-12-21
- 产品介绍:这款紧凑型低成本近红外线阵图像传感器设计用于便携式分析仪器。其消耗电流低于前代产品(DIP 封装产品:G11620 系列)。由于采用带有柔性电路板的紧凑型 LCC 封装,它们适合集成到紧凑的薄型设备中。
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产品介绍
品牌 | HAMAMATSU/滨松 | 应用领域 | 医疗卫生,环保,化工,电子,综合 |
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InGaAs 线阵图像传感器G13913-256FG
用于便携式分析仪器的近红外图像传感器
这款紧凑型低成本近红外线阵图像传感器设计用于便携式分析仪器。其消耗电流低于前代产品(DIP 封装产品:G11620 系列)。由于采用带有柔性电路板的紧凑型 LCC 封装,它们适合集成到紧凑的薄型设备中。
特点
- 紧凑型(带柔性电路板)
- 3.3 V 驱动器
- 低成本
- 256 像素(25 × 250 μm/像素)
- 有两种转换效率等级可供选择
- 内置抗饱和电路
- 操作方便(内置时序发生电路)
- 高分辨率:像素间距 25 μm
详细参数
影像尺寸 | 6.4 x 0.25 mm |
像素尺寸 | 25 x 250 μm |
像素间距 | 25 μm |
像素总数 | 256 像素 |
封装 | 陶瓷,带柔性电路板 |
散热 | 非冷却型 |
行速率(最大值) | 7290 行/秒 |
灵敏度波长范围 | 950 至 1700 nm |
暗电流(最大值) | 10 pA |
测量条件 | 除非另有说明,典型值 Ta = 25°C,Vdd = 3.3 V,INP = Fvref = Vhold = PDN = 2.5V,Vclk = 3.3 V,fop = 1 MHz |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
InGaAs 线阵图像传感器G14237-512WA
近红外传感器(0.85 至 1.45 μm)
G14237-512WA 是一款 InGaAs 线阵图像传感器,设计用于使用 1064 nm 激光器进行拉曼光谱测量。该产品专为测量拉曼光谱范围而设计,截止波长相比前代产品 (G11508-512SA) 有所减小,以实现低暗电流。该产品由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成,包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器由 CMOS 晶体管阵列组成,并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的每个像素。每个像素的信号都在电荷积分模式下读出,在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装,可靠性极/佳。可使用外部电压将 CMOS 芯片上的信号处理电路设定为四种转换效率 (CE) 设置之一。
特点
低噪声,极低暗电流[1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]
有四种转换效率可供选择
内置抗饱和电路
内置 CDS 电路
内置热敏电阻
操作方便(内置时序发生电路)
高分辨率:像素间距 25 μm
详细参数
影像尺寸 | 12.8 x 0.5 mm |
像素尺寸 | 25 x 500 μm |
像素间距 | 25 μm |
像素总数 | 512 像素 |
封装 | 金属 |
散热 | 两级电子冷却型 |
行速率(最大值) | 9150 行/秒 |
灵敏度波长范围 | 850 至 1450 nm |
暗电流(最大值) | 2 pA |
测量条件 | 除非另有说明,典型值 Ta = 25°C,Vdd = 5 V,INP = Vinp = PDN = 4 V,Fref = 1.2V,Vclk = 5V,f = 1 MHz,CE = 16 nV/e- |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
CMOS 线阵图像传感器S13496
高灵敏度,像素垂直长度较长的受光面
S13496 是一款高灵敏度 CMOS 线阵图像传感器,使用具有微小像素的受光面。它拥有包含 4096 像素的长受光面(有效光敏区长度:28.672 mm),每个像素尺寸为 7×200 μm。
特点
-像素尺寸:7 × 200 μm
-4096 像素
-有效光敏区长度:28.672 mm
-高灵敏度:650 V/(lx・s)
-全像素同步电荷积分
-可变积分时间功能(电子快门功能)
-5 V 单电源供电
-内置时序发生电路允许仅使用起动和时钟脉冲输入即可运行
-信号数据率:最大 10 MHz
详细参数
类型 | 高灵敏度型 |
影像尺寸 | 28.672 x 0.200 mm |
有效像素数 | 4096 x 1 像素 |
像素尺寸 | 7 x 200 μm |
光谱响应范围 | 200 至 1000 nm |
行速率(最大值) | 2387 行/秒 |
制冷 | 非冷却型 |
窗材 | 石英 |
封装 | LCP |
测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,Vdd = 5 V,V(CLK) = V(ST) = 5 V,f(CLK) = 10 MHz,除非另有说明 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
CMOS 线阵图像传感器S11639-01
高灵敏度,像素垂直长度较长的受光面
S11639-01 是一款高灵敏度 CMOS 线阵图像传感器,使用像素垂直长度较长的受光面 (14 × 200 µm)。其他特点包括在紫外区域中的高灵敏度和对紫外线性的高耐受性。S11639-01 采用 5 V 单电源供电,适用于低成本光谱仪。
特点
-像素尺寸:14 × 200 μm
-2048 像素
-有效光敏区长度:28.672 mm
-高灵敏度:1300 V/(lx・s)
-在紫外至近红外区域具有高灵敏度(光谱响应范围:200 至 1000 nm)
-全像素同步电荷积分
-可变积分时间功能(电子快门功能)
-5 V 单电源供电
-内置时序发生电路允许仅使用起动和时钟脉冲输入即可运行
-信号数据率:最大 10 MHz
应用示例 (SD-OCT)
SD-OCT
来自宽带波长光源的光照射到样品上,干涉光光谱发散,然后被线阵图像传感器检测到。通过对获得的波长信息进行傅里叶变换,获得样品深度方向的图像。
线性编码器
这款线阵图像传感器具有矩形像素、高行速率和全局快门功能,适用于线性编码器的绝对踪迹读取。
详细参数
类型 | 高灵敏度型 |
影像尺寸 | 28.672 x 0.200 mm |
有效像素数 | 2048 x 1 像素 |
像素尺寸 | 14 x 200 μm |
光谱响应范围 | 200 至 1000 nm |
行速率(最大值) | 4672 行/秒 |
制冷 | 非冷却型 |
窗材 | 石英 |
封装 | LCP |
测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,Vdd = 5 V,V(CLK) = V(ST) = 5 V,f(CLK) = 10 MHz,除非另有说明 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
CD 线阵图像传感器S13256-2048-02
带电子快门功能的薄型背照式 CCD 图像传感器
S13256-2048-02 是一款薄型背照式 CCD 线阵图像传感器,带有用于光谱仪的内部电子快门。此图像传感器使用电阻门构造,可实现高速传输。每个像素都有光谱仪所需的纵向尺寸,但确保读出时图像延迟较低。此外,封装还内置了电子制冷器,以在操作期间保持元件温度恒定(约 5°C)。
特点
内置电子快门
最短积分时间:2 μs
在紫外区域具有高灵敏度(光谱响应范围:200 至 1100 nm)
读出速度:最大 10 MHz
-图像延迟:典型值为 0.1%
详细参数
类型 | 内置电子快门型 |
影像尺寸 | 28.672 x 1.000 mm |
有效像素数 | 2048 x 1 像素 |
像素尺寸 | 14 x 1000 μm |
光谱响应范围 | 200 至 1100 nm |
行速率(典型值) | 2327 行/秒 |
行速率(最大值) | 4633 行/秒 |
暗电流(典型值) | 15000 e-/像素/秒 |
读出噪声(典型值) | 30 e- rms |
制冷 | 单级电子冷却 |
窗材 | 石英 |
封装 | 金属 |
测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,暗电流:MPP 模式 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图(单位:mm)
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